电荷存储相关论文
以“四个面向”为引领,复旦大学微电子学院教授周鹏团队针对主流电荷存储器技术,发现了制约硅基闪存技术的原理瓶颈,提供了可以应......
近日,复旦大学微电子学院教授周鹏团队针对主流电荷存储器技术,发现了硅基闪存技术的原理瓶颈,提供了可以应用于硅材料的器件模型,......
利用O2等离子体氧化单晶硅衬底的方法制备SiO2薄膜作为隧穿势垒,利用laverbylayer方法在SiO2隧穿势垒上原位制备纳米硅(nanocrysta......
活性炭作为双电层电容器(EDLC)的主材,直接影响到其电荷存储性能。选用了四种商业化的活性炭材料,通过比较其比表面积(BET)、孔径......
在考虑了多晶／单晶之间界面氧化层的基础上，本文提出了一个新的多晶硅发射区双极晶体管发射区渡越时间的解析模型，用推导出的标志电荷......
PtSi焦平面列阵的现状PtSi于1991年以1040×1040元的列阵率先实现了兆象元数的红外敏感器规格,从技术上来看,1024×1024依然是已......
采用低电阻率的Ta2O5／SiO2、Ta2O5／Al2O3复合层制备出低压驱动ZnS：Mn薄膜电致发光器件，它的阈值电压在40V以下。当驱动电压为60V、频率......
像素单元电路是读出电路的核心单元电路,其性能直接关系到整个焦平面成像的性能。文章从电路结构设计、注入效率的分析、电荷存储......
采用等离子体化学气相沉积(PECVD)及热退火方法制备了含硅量子点的Si Cx薄膜.透射电子显微镜(TEM)观测表明Si Cx薄膜中生长了大量......
从高频电容电压特性测试中发现的隧道电容溢出现象出发,研究了具有超薄钝化层的半导体-绝缘体-半导体(semiconductor-insulator-se......
氟聚合物是一类具有优异的电荷存储能力的驻极体材料。聚四氟乙烯(PTFE)和氟化乙烯丙烯共聚物(FEP)是应用最广泛的空间电荷型驻极......
近年来,光信号处理与光子计算机将具有举足轻重的地位。光敏传感阵列是探测器前端最为核心的元件。其在航天、军事和生物等领域都......
东京理工大学和富士通微电子已经联合开发出用于新一代非易失性铁电随机存储器(FerroelectricRandomAccessMemory,FeRAM)的材料和......
研究了镍纳米晶镶嵌在 MOS(金属—氧化物—半导体)电容结构中应用于非挥发性存储器的可行性。制备了镶嵌在氧化层中的镍纳米晶。采......
通过准分子 (30 8mm)激光将 (Ba1-xSrx)TiO3(BST)薄膜剥离沉积在Si(1 0 0 )基片上 .随着沉积温度的增加 ,BST薄膜的结晶性显著提高......
用电荷耦合器件检测器组装的荧光检测装置，检测荧光混合物的荧光光谱，借助卡尔曼滤波处理测量数据，进行多组分荧光物质同时测定，获得了......
采用Ta2O5／SiO2，Ta2O5／Al2O3复合介质层制备出低压驱动ZnS：Mn薄膜电致发光器件，它的阈值电压在40V以下。当驱动电压为60V，频率为50Hz时，发......
据ISSCC’97报道，日本NEC公司采用多值技术开发了4GbDRAM。采用这一技术从纯计算角度来看，预计可缩小芯片面积50％，可提高成品率，可大大......
通常,I~2L门的传播延迟时间随着注入管电流的增加而减小。这是因为耗尽层结电容更迅速充放电的结果。可是,在中等电流范围内,由于......
由于典型I~2L的速度不能满足高速电路的要求,我们于1975年7～8月份开始研究高速I~2L电路,9月提出将低发射极浓度器件用于I~2L电路的......
基本的 CTD 延迟线使电荷以一个电荷存储单元单向地转移到邻近的电荷存储单元。电荷转移器件是在半导体/氧化物交界面产生的势阱......
前言 1970年春,美国贝尔实验室W·S·波意耳和G·E·史密斯等人提出的电荷耦合器件(简称CCD)概念,已在1972年进入实际应用阶段。......
本文试图对不挥发半导体存储器进行观察和评价,其中包括电荷存贮器件和具有铁电栅绝缘体的场效应晶体管。电荷存储器进一步又分为......
本文根据开关电容滤波器(即两个电容器的电行转移和电容器的电荷存储能力)的原理,讨论开关电容器网络的分析程序。这种分析法产生......
本文介绍了一种新型动态随机存取存储器单元,它将三个二极管合为一体,形成一种复合结构。在新型的3个二极管存储单元中,一个二极管......
利用兰宝石衬底上外延硅膜(SOS)制作互补MOS 集成电路具有许多潜在的优点,除了高集成度、高速、低功耗、工作电压范围宽、抗闩锁......
描述了 Si:P 红外集成探测器的性能改进。这种探测器具有 p-i-n 二极管结构,但红外探测方式还包括有在低温下以局部杂质状态存储在......
本文提出了适合于互补型横向绝缘栅双极晶体管截止瞬态弛豫的解析模型。它基于有非平衡载流子抽出下的电荷控制方程,计及集电结电......
MOS 图象传感器(MOS IS)又名自扫描光电二极管列阵(简称 SSPD 器件),是一种性能优良的新型固体图象传感器。其主要特点是:采用电......
运用高温熔凝工艺制作了一种 Si-(Si02-Ta2O5-B2O3-RO)-Si微晶 SOI.实验结果显示,该 SOI样品的顶层、底层的单晶硅片结合紧密,中间......
本文详细地阐述了CL 128 E和CL 256 C自扫描光电二极管列阵的电路框图及工作原理.讨论了降低器件噪声的电路结构及工艺设计要点.提......
随着半导体工艺技术的不断发展，非挥发性快闪存储器集成密度要求越来越高,存储单元特征尺寸需要不断减小,因而传统的多晶硅浮栅快闪......
近年来，随着科学研究的不断深入，部分有机半导体材料的迁移率已经超过了无定形硅，向多晶硅的水平迈进。这些突破性的进展极大地推动了......
半导体金属氧化物如TiO2、Nb2O5等在诸多领域都有十分广泛的应用,其一维(1D)纳米结构具有高比表面积、有序的电荷传输通道和特殊的......
上世纪四十年代末，微电子技术崭露头角，便迅速引发了一次新的技术革命，到如今，它已成为当代计算机技术、通讯技术、自动控制技术等新兴......
由于纳米硅（nc-Si）双势垒结构的材料、工艺与现代微电子技术高度兼容，以及由于量子尺寸效应所产生的许多新的物理现象，使得nc-Si双势垒......
微电子技术自从上世纪四十年代末诞生以来，一直向前高速发展，引发了第三次工业技术革命，取得令人瞩目的成就。今天，它已成为当代计算机......
近年来,一种名为钙钛矿太阳能电池的新型薄膜光伏器件吸引了科研人员的广泛关注。从2009年至今,其光电转换效率从3.8%增长到22.7%,......
自20世纪90年代中期以来，由互补型金属-氧化物-半导体场效应晶体管结构(MOS)发展起来的纳米浮栅非易失性存储器件(NFG-NVM)已被广泛......
纳米晶浮栅非挥发性存储器具有单位面积小，集成密度大，编程电压低，编程速度快，低功耗，与现存硅技术兼容等等优点;有望取代传统浮栅非挥......
为了获得电化学性能优良的ZnMn2O4材料,以Zn(NO3)2和MnCl2作为原料,以乙二醇作为溶剂,以Na2CO3作为沉淀剂,采用低温共沉淀法,制备......
